描述 具有死区时间的 4A、6A、3.0kV(RMS) 隔离式双通道栅极驱动器
封装/引脚 SOIC(D)| 16
隔离电压 3000
DIN V VDE V 0884-10 暂态过电压额定值 (Vpk) 4242
DIN V VDE V 0884-10 工作电压 (Vpk) 990
通道数 2
电源开关 MOSFET^IGBT^GaNFET
输出供电电压(Max) (V) 18
输出供电电压(Min) (V) 9.2
输入供电电压(Min) (V) 3
输入供电电压(Max) (V) 5.5
峰值输出电流(A) 6
支柱延迟(ns) 28
特征 Disable^Ground Bounce Immunity^Programmable Dead Time
输入临限 TTL^CMOS
操作温度范围 -40 to 125
封装规格 [pf]16SOIC[/pf]: 59 mm2: 6 x 9.9 (SOIC|16)