描述 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器
封装/引脚 SOIC(DW)| 16
隔离电压 5700
DIN V VDE V 0884-10 暂态过电压额定值 (Vpk) 8000
DIN V VDE V 0884-10 工作电压 (Vpk) 2121
通道数 1
电源开关 IGBT^SiCFET
输出供电电压(Max) (V) 30
输出供电电压(Min) (V) 15
输入供电电压(Min) (V) 2.25
输入供电电压(Max) (V) 5.5
峰值输出电流(A) 5
支柱延迟(ns) 0
特征 DESAT Protection^Split Output^Miller Clamp^Power Good^Fault Output^Reset^Soft Turn Off
输入临限 CMOS
操作温度范围 -55 to 125
封装规格 [pf]16SOIC[/pf]: 77 mm2: 7.5 x 10.3 (SOIC|16)