描述 适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的单通道隔离式栅极驱动器
封装/引脚 SOIC(DW)| 16
隔离电压 5700
DIN V VDE V 0884-10 暂态过电压额定值 (Vpk) 8400
DIN V VDE V 0884-10 工作电压 (Vpk) 2121
通道数 1
电源开关 IGBT^SiCFET
输出供电电压(Max) (V) 33
输出供电电压(Min) (V) 13
输入供电电压(Min) (V) 3
输入供电电压(Max) (V) 5.5
峰值输出电流(A) 10
支柱延迟(ns) 90
特征 0
输入临限 0
操作温度范围 -40 to 125
封装规格 [pf]16SOIC[/pf]: 77 mm2: 7.5 x 10.3 (SOIC|16)