描述 用于增强模式 GaN FET 的 4A/8A 单通道高速低侧栅极驱动器
封装/引脚 WSON(DRV)| 6
通道数 1
电源开关 MOSFET^GaNFET
峰值输出电流(A) 6
输入供电电压(Min) (V) 4
输入供电电压(Max) (V) 18
上升时间(ns) 9
下降时间(ns) 4
支柱延迟(ns) 14
输入临限 CMOS^TTL
通道输入逻辑 Inverting^Non-Inverting
输入负电压(V) 0
特征 Split Output^Regulated gate driver voltage
工作温度范围 -40 to 140