分类 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 860 MHz, 450 W, 50 V
状态 Active
频率(最小) (MHz) 470
频率(最大) (MHz) 860
电源电压(典型值)(V) 50
1dB压缩点(典型值)(dBm) 56.5
1dB压缩点(典型值) (W) 450
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 90.0 @ AVG
测试信号 OFDM
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 22.5 @ 860
效率(典型值)(%) 28
热阻(规格)(℃/W) 0.27
匹配 input impedance matching
种类 AB
模具技术 LDMOS
应用 射频广播和ISM