分类 Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 300 W, 50 V
状态 End of Life
频率(最小) (MHz) 10
频率(最大) (MHz) 600
电源电压(典型值)(V) 50
1dB压缩点(典型值)(dBm) 54.8
1dB压缩点(典型值) (W) 300
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 300.0 @ CW
测试信号
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 22.0 @ 450
效率(典型值)(%) 60
热阻(规格)(℃/W) 0.24
匹配 unmatched
种类 AB
模具技术 LDMOS
应用 射频广播和ISM