分类 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 175 MHz, 50 W, 12.5 V
状态 End of Life
频率(最小) (MHz) 135
频率(最大) (MHz) 175
电源电压(典型值)(V) 12.5
1dB压缩点(典型值)(dBm) 47
1dB压缩点(典型值) (W) 50
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 50.0 @ CW
测试信号 1-TONE
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 14.5 @ 18
效率(典型值)(%) 55
热阻(规格)(℃/W) 0.5
匹配 unmatched
种类 AB
模具技术 LDMOS
应用 射频广播和ISM