#的安培 1
沃斯(最大) 350μ
Vos TC (typ)(V/°C) 1μ
英镑(typ)(Hz) 1M
杀率(typ)(V/us) 350m
VNoise密度(typ)(V/rtHz) 27n
0.1至10hz VNoise (typ)(V p-p) 600n
智商/ Amp (typ)(A) 190μ
span(最小)(V) 2.7
span(最大)(V) 44
封装 8-Lead PDIP (Narrow 0.3 Inch),8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch),8-Lead MSOP,8-Lead DFN (3mm x 3mm x 0.75mm w/ EP)