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RFGB.CP.UD.B.18

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GaN类型 GaN体

模板行 无掺杂(N-)

基底直径 N/A

厚度(μm) 430

Marcodefect 密度 <10/cm2

电阻率(Ω·cm) 0.5

厚度变化(±μm) 10


X
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3

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