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MRFG35003N6AT1

以实际报价为准。

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分类 GaAs pHEMT Power FET, 3.5 GHz, 3 W , 6 V

状态 Active

频率(最小)(MHz) 500

频率(最大)(MHz) 5000

输出功率(Typ) (W)@  Intermodulation Level at Test Signal 0.45 @ AVG

测试信号 WCDMA

供应电压[最大] (V)

供应电压[最小] (V)

增益(Typ) (dB) @ f (MHz) 10.0 @ 3550.0

效率(Typ) (%) 27

热阻(规格)(℃/W) 5.9

匹配 unmatched

模具技术 GaAs

应用 GaAs线性功率晶体管


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