分类 Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 800 MHz, 27 W Avg., 28 V
状态 Not Recommended for New Designs
频率(最小) (MHz) 865
频率(最大) (MHz) 960
电源电压(典型值)(V) 28
1dB压缩点(典型值)(dBm) 51
1dB压缩点(典型值) (W) 125
3dB压缩点(典型值)(dBm)
3dB压缩点(典型值) (W)
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 27.0 @ AVG
测试信号 N-CDMA
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 20.2 @ 880
效率(典型值)(%) 31
热阻(规格)(℃/W) 0.45
匹配 input impedance matching
种类 AB
模具技术 LDMOS