分类 GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 35.5 W CW, 28 V
状态 End of Life
频率(最小) (MHz) 920
频率(最大) (MHz) 960
电源电压(典型值)(V) 28
1dB压缩点(典型值)(dBm) 46.5
1dB压缩点(典型值) (W) 45
3dB压缩点(典型值)(dBm)
3dB压缩点(典型值) (W)
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 35.5 @ CW
测试信号 1-TONE
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 19.0 @ 960
效率(典型值)(%) 57
热阻(规格)(℃/W) 1.3
匹配 input and output impedance matching
种类 AB
模具技术 LDMOS