分类 GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 72 W CW, 28 V
状态 End of Life
频率(最小) (MHz) 920
频率(最大) (MHz) 960
电源电压(典型值)(V) 28
1dB压缩点(典型值)(dBm) 50.3
1dB压缩点(典型值) (W) 108
3dB压缩点(典型值)(dBm)
3dB压缩点(典型值) (W)
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 72.0 @ CW
测试信号 1-TONE
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 19.3 @ 920
效率(典型值)(%) 51.6
热阻(规格)(℃/W) 0.65
匹配 input impedance matching
种类 AB
模具技术 LDMOS