分类 GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 869-960 MHz, 80 W, 26 V
状态 End of Life
频率(最小) (MHz) 869
频率(最大) (MHz) 960
电源电压(典型值)(V) 26
1dB压缩点(典型值)(dBm) 49
1dB压缩点(典型值) (W) 80
3dB压缩点(典型值)(dBm)
3dB压缩点(典型值) (W)
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 80.0 @ CW
测试信号
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 18.0 @ 960
效率(典型值)(%) 59
热阻(规格)(℃/W) 0.5
匹配 input impedance matching
种类 AB
模具技术 LDMOS