射频特性 Silicon (SOI)
射频频率相应（最小）（HZ)100M
射频频率相应（最大）（HZ)40G
插入损耗（typ)(dB)4.8
衰减范围（typ)(dB)31.5
控制步长（dB)0.5
输入三阶截点（typ)(dBm)50
接口Parallel, Serial, TTL/CMOS Compatible
输入功率（最大）（dBm)27
控制位6