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ADS5517IRGZT

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小类 高速ADCs(>10MSPS)

决议(Bits) 11

采样率(Max)(MSPS) 200

输入通道数量 1

INL(Max)(+/-LSB) 1.5

SNR(dB) 67.1

SFD(dB) 86

功耗(Typ)(mW) 1230

连接 ParallelCMOS

体系结构 Pipeline

工作温度范围(C) -40to85

等级 Catalog

封装|引脚 VQFN(RGZ)|48

包装尺寸mm2:WxL(PKG) 49mm2:7x7(VQFN|48)

模拟输入带宽(MHz) 700

状态 ACTIVE

描述 具有DDRLVDS和CMOS输出的11位200MSPSADC


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