分类 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 3 W, 12.5 V
状态 Active
频率(最小) (MHz) 135
频率(最大) (MHz) 520
电源电压(典型值)(V) 12.5
1dB压缩点(典型值)(dBm) 34.8
1dB压缩点(典型值) (W) 3
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 3.0 @ CW
测试信号 1-TONE
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 15.0 @ 520
效率(典型值)(%) 65
热阻(规格)(℃/W) 4
匹配 unmatched
种类 AB
模具技术 LDMOS
应用 射频广播和ISM