描述 射频宽带晶体管
市场描述 NPN wideband silicon RF transistor
状态 5th
fT [typ] (MHz) 10000
VCEO [最大] (V) 12
VCEO [最大] (V) 450
极性 NPN
GUM [typ] (dB)
@f (MHz) 900
@VCE (V) 8
@IC(但) 1
NF (dB) 0.7
状态 Active
射频宽带晶体管