文章来源：科技电眼 作 者：李永东半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，一路上挟风带雨，好不风光。不过随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。未来半导体技术的提升，除了进一步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。氮化镓，最早在60年代应用于LED产品，近几年在电源类产品打开市场。硅材料仍然是当前电源产品的主流，氮化镓定位在高功率、高电压的场景，集中在600V至 3.3kv。中低压集中在100-600V。氮化镓还具有高频无损耗开关的特性。目前，市场上氮化镓解决方案分为三种：1.分立式+外部驱动器；2.多片集成，开关和驱动虽然是不同的衬底，但是封装在同一个壳子里；3.单片集成，氮化镓的开关、驱动、其他器件作为同衬底的一个解决方案。分立式方案是目前最成熟的一种解决方案，氮化镓在多片集成与单片集成中体现出优势。GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得...
发布时间:
2019
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07
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26
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