分类 Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 860 MHz, 300 W, 32 V
状态 End of Life
频率(最小) (MHz) 470
频率(最大) (MHz) 860
电源电压(典型值)(V) 32
1dB压缩点(典型值)(dBm) 54.8
1dB压缩点(典型值) (W) 300
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 270.0 @ PEP
测试信号 2-TONE
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 20.4 @ 860
效率(典型值)(%) 44.8
热阻(规格)(℃/W) 0.23
匹配 input and output impedance matching
种类 AB
模具技术 LDMOS
应用 射频广播和ISM