分类 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-500 MHz, 1000 W, 50 V
状态 No Longer Manufactured
频率(最小) (MHz) 10
频率(最大) (MHz) 500
电源电压(典型值)(V) 50
1dB压缩点(典型值)(dBm) 60
1dB压缩点(典型值) (W) 1000
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 1000.0 @ Peak
测试信号 Pulse
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 20.0 @ 450
效率(典型值)(%) 64
热阻(规格)(℃/W) 0.03
匹配 unmatched
种类 AB
模具技术 LDMOS
应用 射频广播和ISM